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GB/T 6619-2009硅片彎曲度測試方法Test methods for bow of silicon wafers GB/T 6619-2009硅片彎曲度測試方法Test methods for bow of silicon wafers

GB/T 6619-2009硅片彎曲度測試方法Test methods for bow of silicon wafers

  • 標準類別:[GB] 國家標準
  • 標準大?。?/li>
  • 標準編號:GB/T 6619-2009
  • 標準狀態(tài):現(xiàn)行
  • 更新時間:2022-08-16
  • 下載次數(shù):
標準簡介

本標準修改采用SEMIMF5340706《硅片彎曲度測試方法》。本標準與SEMIMF5340706相比,主要變化如下:---本標準接觸式測量方法格式按GB/T1.1格式編排;---本標準根據(jù)我國實際生產(chǎn)情況增加了非接觸式測量方法。本標準代替GB/T6619-1995《硅片彎曲度測試方法》。本標準與GB/T6619-1995相比,主要有如下變動:---擴大了可測量硅片范圍為直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于250的圓形硅片;---增加了引用文件、術(shù)語、意義用途、測量環(huán)境條件和干擾因素等章節(jié);---修改了儀器校正的內(nèi)容。本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會(SAC/TC203)提出。本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。本標準起草單位:洛陽單晶硅有限責任公司。本標準主要起草人:劉玉芹、蔣建國、馮校亮、張靜雯。本標準所替代標準的歷次版本發(fā)布情況為:---GB6619-1986、GB/T6619-1995。

標準截圖
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