GB/T 4058-2009硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
- 標(biāo)準(zhǔn)類別:[GB] 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
- 標(biāo)準(zhǔn)大?。?/li>
- 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 4058-2009
- 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
- 更新時(shí)間:2022-08-15
- 下載次數(shù):次
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T4058-1995《硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T4058-1995相比,主要有如下變化:---范圍中增加了硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗(yàn);---增加了引用標(biāo)準(zhǔn);---增加了術(shù)語(yǔ)和定義章;---將原標(biāo)準(zhǔn)中表1 四種常用化學(xué)拋光液配方刪除,在第5章中對(duì)化學(xué)拋光液配比進(jìn)行了修改,刪除了乙酸配方;增加了鉻酸溶液A 的配制、Sirtl腐蝕液及Wright腐蝕液的配制;增加了幾種國(guó)際上常用的無(wú)鉻、含鉻腐蝕溶液的配方、應(yīng)用及適用性的分類對(duì)比表;---采用氧化程序替代原標(biāo)準(zhǔn)中的氧化的操作步驟;增加了(111)面缺陷的顯示方法及Wright腐蝕液的腐蝕時(shí)間,將(111)面和(100)面缺陷顯示方法區(qū)分開了;(100)面缺陷的顯示增加了Wright腐蝕液腐蝕方法;---在缺陷觀測(cè)的測(cè)點(diǎn)選取中增加了米字型測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A 為資料性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨嵋半導(dǎo)體材料廠。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:何蘭英、王炎、張輝堅(jiān)、劉陽(yáng)。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB4058-1983、GB/T4058-1995;---GB6622-1986、GB6623-1986。
-
GB/T 1094.1-2013電力變壓器 第1部分:總則 2022-08-15
-
GB/T 706-2016熱軋型鋼 2022-08-15
-
JB/T 10216-2013電控配電用電纜橋架 2022-08-15
-
GB/T 10801.2-2018絕熱用擠塑聚苯乙烯泡沫塑料(XPS) 2022-08-15
-
JTG D20-2017公路路線設(shè)計(jì)規(guī)范 2022-08-15
