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GB/T 6624-2009硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection GB/T 6624-2009硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection

GB/T 6624-2009硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection

  • 標(biāo)準(zhǔn)類(lèi)別:[GB] 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
  • 標(biāo)準(zhǔn)大?。?/li>
  • 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 6624-2009
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
  • 更新時(shí)間:2022-08-05
  • 下載次數(shù):
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T6624-1995《硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法》。本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比主要有如下變化:---修改了高強(qiáng)度匯聚光源照度要求,由不小于16000lx改為不小于230000lx;---增加了凈化室級(jí)別要求;---擴(kuò)大了照度計(jì)測(cè)量范圍為0lx~330000lx;---增加了測(cè)量長(zhǎng)度工具;---更改檢測(cè)條件中光源與硅片之間的距離要求。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位:上海合晶硅材料有限公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:徐新華、王珍。本標(biāo)準(zhǔn)所替代標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB/T6624-1986?GB/T6624-1995。

標(biāo)準(zhǔn)截圖
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