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GB/T 14146-2009硅外延層載流子濃度測(cè)定.汞探針電容-電壓法Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method GB/T 14146-2009硅外延層載流子濃度測(cè)定.汞探針電容-電壓法Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

GB/T 14146-2009硅外延層載流子濃度測(cè)定.汞探針電容-電壓法Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method

  • 標(biāo)準(zhǔn)類別:[GB] 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
  • 標(biāo)準(zhǔn)大小:
  • 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào):GB/T 14146-2009
  • 標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行
  • 更新時(shí)間:2022-07-25
  • 下載次數(shù):
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介

本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T14146-1993《硅外延載流子濃度測(cè)定 汞探針電容?電壓法》。本標(biāo)準(zhǔn)與GB/T14146-1993相比,主要有如下變動(dòng):---測(cè)量范圍由原1013cm-3~1018cm-3改為4×1013cm-3~8×1016cm-3,并增加了對(duì)外延層厚度的測(cè)試要求和拋光片的測(cè)試適用性;---增加了引用標(biāo)準(zhǔn);---增加了干擾因素;---試劑中氫氟酸(ρ1.15g/mL)改為氫氟酸(分析純),刪除硝酸(ρ1.4g/mL),增加雙氧水(分析純),去離子水電阻率由大于2 MΩ·cm 改為大于10 MΩ·cm;---對(duì)測(cè)量?jī)x器及環(huán)境,樣品處理,儀器校準(zhǔn),測(cè)量步驟的內(nèi)容進(jìn)行了全面修改;---刪除測(cè)量結(jié)果的計(jì)算;---增加了重復(fù)性和再現(xiàn)性;---增加了附錄硅片接觸良好測(cè)試的判定指標(biāo)。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A 為規(guī)范性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:南京國(guó)盛電子有限公司、寧波立立電子股份有限公司、信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:馬林寶、唐有青、劉培東、李靜、金龍、呂立平。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB/T14146-1993。

標(biāo)準(zhǔn)截圖
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