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SJ 20176-1992半導(dǎo)體分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反壓晶體管詳細規(guī)范Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440 SJ 20176-1992半導(dǎo)體分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反壓晶體管詳細規(guī)范Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440

SJ 20176-1992半導(dǎo)體分立器件3DG3439型和3DG3440型NPN硅小功率高反壓晶體管詳細規(guī)范Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor of Types 3DG3439 and 3DG3440

  • 標準類別：[SJ] 電子行業(yè)標準
  • 標準大?。?/li>
  • 標準編號：SJ 20176-1992
  • 標準狀態(tài)：現(xiàn)行
  • 更新時間：2022-07-03
  • 下載次數(shù)：次
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