本標(biāo)準(zhǔn)代替GB/T1553-1997《硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法》。本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比,主要有如下變化:---新增加少子壽命值的測(cè)量下限范圍;---刪除了有關(guān)斬切光的內(nèi)容;---本標(biāo)準(zhǔn)將GB/T1553-1997中第7章試劑和材料和第8章測(cè)試儀器并為第6章測(cè)量?jī)x器;---本標(biāo)準(zhǔn)增加了術(shù)語(yǔ)章和體壽命的解釋;---本標(biāo)準(zhǔn)在干擾因素章增加了對(duì)各干擾因素影響的消除方法。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A 為規(guī)范性附錄。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:峨嵋半導(dǎo)體材料廠。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:江莉、楊旭。本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:---GB1553-1979、GB5257-1985、GB/T1553-1997。