多晶氧化物半導(dǎo)體中晶界對電導(dǎo)的影響

期刊名字：電子元件與材料
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論文作者：蔣朝倫，陶明德
作者單位：風(fēng)華電子工程研究開發(fā)中心
更新時間：2023-03-25
下載次數(shù)：次

論文簡介

主要討論NTC多晶氧化物半導(dǎo)體中晶界對電導(dǎo)的影響.研究表明,NTC多晶氧化物半導(dǎo)體的電導(dǎo)是由晶粒中載流子的熱激發(fā)并穿過晶界勢壘形成的,電導(dǎo)同時受晶粒和晶界的控制;材料的電阻–溫度特性不是嚴(yán)格的指數(shù)曲線;材料常數(shù)與溫度有關(guān).因此,研究晶界的行為,對制備高性能NTC材料具有重要意義.

論文截圖

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