寬禁帶半導體氮化鎵( GaN)器件具有高壓、高速、高功率、高效率、耐高溫等優(yōu)點,針對未來功率電子應用,GaN器件具有傳統(tǒng)Si材料器件所不可比擬的優(yōu)勢.Si基GaN( GaN-on-Si)功率半導體技術由于使用Si襯底材料,可在大直徑硅晶圓上外延GaN且具有與傳統(tǒng)Si工藝兼容等優(yōu)勢,成為未來功率半導體技術發(fā)展的理想選擇.在此從GaN-on-Si功率半導體所涉及的GaN外延技術、器件耐壓優(yōu)化、增強型器件技術、電流崩塌效應、Si工藝兼容、功率集成、器件可靠性等多個方面報道了GaN -on -Si功率半導體技術的最新研究進展,并分析了GaN-on-Si功率半導體技術未來面臨的機遇與挑戰(zhàn).