寬禁帶半導(dǎo)體材料是一種新型材料,具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高等特點(diǎn),非常適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成電子器件;利用其特有的禁帶寬度,還可以制作藍(lán)光、綠光、紫外光器件和光探測(cè)器件,能夠適應(yīng)更為苛刻的生存和工作環(huán)境.在寬禁帶半導(dǎo)體材料中,具有代表性的是碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、金剛石以及氧化鋅(ZnO),綜合敘述了這些材料的特性、發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì);并介紹了SiC、GaN、ZnO材料的應(yīng)用情況和代表性器件的研究進(jìn)展.