研究水相制備CdSe半導(dǎo)體量子點(diǎn)的合成工藝及后處理過(guò)程(包括前驅(qū)體物質(zhì)選擇及其用量、水浴反應(yīng)時(shí)間、真空熱處理等因素)對(duì)樣品熒光性能的影響.通過(guò)熒光光譜測(cè)試分析樣品熒光性能,結(jié)合紫外-可見(jiàn)光吸收光譜分析樣品光吸收性能,并用掃描電鏡和X射線衍射譜分析樣品形貌與組分.結(jié)果表明:使用Na2SO3前驅(qū)體制備的水溶液樣品的熒光性能容易受水浴加熱時(shí)間的影響,表現(xiàn)出特殊的熒光雙峰現(xiàn)象.使用NaBH4前驅(qū)體制備的水溶液樣品熒光性能幾乎不受水浴加熱時(shí)間的影響,NaBH4的加入量增多有利于鈍化CdSe量子點(diǎn)表面,有效減少表面陷阱,大幅度提高熒光量子產(chǎn)率.真空熱處理使樣品熒光峰銳化,半峰寬為30～40 nm且峰位產(chǎn)生紅移,峰強(qiáng)急劇增加.