半導(dǎo)體器件的瞬時(shí)狀態(tài)由包含三個(gè)擬線(xiàn)性偏微分方程所組成的方程組的初邊值問(wèn)題來(lái)描述.其中電子位勢(shì)方程是橢圓型的,電子和空穴濃度方程是對(duì)流擴(kuò)散型的.作者對(duì)三維半導(dǎo)體模型問(wèn)題采用四面體網(wǎng)格上的有限體積元方法進(jìn)行逼近,具體地,對(duì)電子位勢(shì)方程采用一次元有限體積法來(lái)逼近,對(duì)電子濃度和空穴濃度方程采用迎風(fēng)有限體積方法來(lái)逼近,并進(jìn)行了詳細(xì)的理論分析,得到了O(h+△t)階的L2模誤差估計(jì)結(jié)果.