為了進一步了解在金屬-半導(dǎo)體接觸勢壘高度計算中采用半導(dǎo)體平均鍵能Em作為參考能級的合理性,本文在金屬-半導(dǎo)體超晶格的LMTO-ASA能帶計算中,引用"凍結(jié)勢"方法,計算了(Ge2)4(2Al)6(001),(Ge2)4(2Au)6(001),(Ge2)4(2Ag)6(001),(GaAs)4(2Al)6(001),(GaAs)4(2Au)6(001)和(GaAs)4(2Ag)6(001)等超晶格金屬-半導(dǎo)體界面兩側(cè)的金屬費米能級EF(M)和半導(dǎo)體平均鍵能Em(S).研究發(fā)現(xiàn),在超晶格的金屬-半導(dǎo)體界面兩側(cè),金屬的費米能級EF(M)與半導(dǎo)體的平均鍵能Em(S)幾乎處于同一能量水平線上,Em(S)≈EF(M),也就是EF(M)與Em(S)在界面兩側(cè)相互"對齊".因此,在理想金屬-半導(dǎo)體接觸的勢壘高度理論計算中,采用半導(dǎo)體平均鍵能Em作為參考能級,可以獲得比較可靠的計算結(jié)果.