β-FeSi2半導(dǎo)體薄膜與Si基體取向關(guān)系的研究

期刊名字：材料熱處理學(xué)報(bào)
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論文作者：聶冬，李曉娜，董闖
作者單位：三束材料改性國(guó)家重點(diǎn)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,中國(guó)科學(xué)院北京電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)室
更新時(shí)間：2023-03-25
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論文簡(jiǎn)介

利用近似重位點(diǎn)原理研究了離子注入法制備的β-FeSi2半導(dǎo)體薄膜和Si基體之間的取向關(guān)系(OR).透射電子顯微鏡分析結(jié)果表明膜基之間最常見的取向關(guān)系為(200)β//(200)si,[010]β//[011]Si但是該平行關(guān)系并不精確滿足.對(duì)β-FeSi2/Si的最佳取向的理論計(jì)算結(jié)果表明β-FeSi2和Si要在上述取向關(guān)系基礎(chǔ)上經(jīng)過三維小角度旋轉(zhuǎn)調(diào)整后才能達(dá)到最佳取向,此時(shí)β-FeSi2和Si中不存在嚴(yán)格平行的晶面,因而在Si基體上生長(zhǎng)高質(zhì)量的β-FeSi2單晶薄膜存在本質(zhì)困難;計(jì)算結(jié)果還表明摻雜C離子后β-FeSi2晶格常數(shù)的微量調(diào)整對(duì)最佳取向關(guān)系影響不大;當(dāng)β-FeSi2和Si處于最佳取向時(shí),它們之間可能的最佳界面是(001)β//(0 22)Si或(110)β//(111)Si.

論文截圖

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