半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的可控生長

期刊名字：人工晶體學報
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論文作者：王占國
作者單位：中國科學院半導(dǎo)體研究所
更新時間：2023-03-24
下載次數(shù)：次

論文簡介

應(yīng)用MBE技術(shù)和SK生長模式,通過對研究材料體系的應(yīng)力分布設(shè)計,生長動力學研究和生長工藝優(yōu)化,實現(xiàn)了In(Ga)As/GaAs,InAlAs/AlGaAs/GaAs和InAs/InAl(Ga)As/InP無缺陷量子點(線)的尺寸、形狀、密度和分布有序性的可控生長,這對進一步的器件應(yīng)用特別重要.討論了半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的空間有序性分布物理起因和退火的機制.

論文截圖

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