寬禁帶功率半導(dǎo)體器件技術(shù)

期刊名字：電子科技大學(xué)學(xué)報(bào)
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論文作者：張波，鄧小川，陳萬(wàn)軍，李肇基
作者單位：電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
更新時(shí)間：2023-03-24
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論文簡(jiǎn)介

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表.與常規(guī)半導(dǎo)體硅(Si)和砷化鎵(GaAs)相比,寬禁帶半導(dǎo)體具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),是大功率、高溫、高頻、抗輻照應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料.該文總結(jié)了寬禁帶SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件研發(fā)的最新進(jìn)展,包括各種功率二極管和功率晶體管.同時(shí)對(duì)寬禁帶SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件發(fā)展所面臨的市場(chǎng)和技術(shù)挑戰(zhàn)進(jìn)行了分析與概述,并對(duì)其發(fā)展前景進(jìn)行了展望.

論文截圖

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