InP基RTD特性的數(shù)值模擬研究

期刊名字：固體電子學(xué)研究與進(jìn)展
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論文作者：王偉，孫浩，孫曉瑋，徐安懷，齊鳴
作者單位：中國(guó)科學(xué)院,中國(guó)科學(xué)院研究生院,信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
更新時(shí)間：2022-12-10
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論文簡(jiǎn)介

采用基于非平衡格林函數(shù)法(Non-equilibrium Green's function,NEGF)量子輸運(yùn)模擬器WinGreen對(duì)InP基共振隧穿二極管(RTD)的輸運(yùn)特性進(jìn)行了計(jì)算模擬,分析了Ga0.47In0.53As/AlAs以及富In組份勢(shì)阱雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)幾何參數(shù)、散射參數(shù)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)摻雜濃度以及隔離層厚度對(duì)InP基RTD器件Ⅰ-Ⅴ特性的影響.模擬結(jié)果表明,采用富In組份的勢(shì)阱有利于降低峰值電壓,提高發(fā)射區(qū)摻雜濃度有利于增大峰值電流密度,而散射則會(huì)導(dǎo)致谷值電流增大,影響其負(fù)阻特性.

論文截圖

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