定義了硅表面上硅和二氧化硅的橫向腐蝕速率,系統(tǒng)地測量了硅(100)晶面上的硅和二氧化硅在40%(質量分數(shù))氟化銨水溶液中的橫向與縱向腐蝕速率,并和硅(111)晶面上的測量結果進行了對比.對比結果表明,盡管兩種晶面上的硅和二氧化硅的腐蝕速率有明顯的差別,其相應的表觀活化能在誤差范圍內相同.實驗中還發(fā)現(xiàn),溶液的溫度為38.2 ℃時,硅腐蝕過程中形成的氣泡對硅的腐蝕速率有顯著的影響: 開始時加速硅的腐蝕;但隨著氣泡在硅/溶液界面的聚集,阻礙硅的腐蝕.