VLP/CVD低溫硅外延

期刊名字：微電子學(xué)
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論文作者：謝自力，陳桂章，洛紅，嚴(yán)軍
作者單位：南京電子器件研究所,
更新時(shí)間：2023-03-31
下載次數(shù)：次

論文簡(jiǎn)介

研究了VLP/CVD低溫硅外延生長技術(shù).利用自制的VLP/CVD設(shè)備,在低溫條件下,成功地研制出晶格結(jié)構(gòu)完好的硅同質(zhì)結(jié)外延材料.擴(kuò)展電阻、X射線衍射譜和電化學(xué)分布研究表明,在低溫下(T＜800.C)應(yīng)用VLP/CVD技術(shù),可以生長結(jié)構(gòu)完好的硅外延材料;且材料生長界面的雜質(zhì)濃度分布更陡峭.

論文截圖

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