砷化鎵材料

期刊名字：科技創(chuàng)新導(dǎo)報(bào)
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論文作者：王建利，牛沈軍，蘭天平，周春峰，孫強(qiáng)
作者單位：中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
更新時(shí)間：2022-12-08
下載次數(shù)：次

論文簡介

文章介紹了III-V族化合物半導(dǎo)體材料--砷化鎵.從砷化鎵材料的基本性質(zhì)、參數(shù)出發(fā),深入淺出地討論了其相關(guān)性質(zhì)形成的機(jī)理,以及與這些性質(zhì)、參數(shù)相對應(yīng)的有關(guān)半導(dǎo)體器件方面的應(yīng)用情況,同時(shí)指出了為了適應(yīng)器件的需求,如何在制造過程中得到性能參數(shù)較為理想的晶體材料而應(yīng)采取的有關(guān)工藝措施.

論文截圖

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