環(huán)境半導體材料Ca2Si的電子結(jié)構(gòu)研究

期刊名字：海南師范大學學報
文件大小：
論文作者：肖清泉，謝泉，楊吟野，張晉敏，趙鳳娟，楊創(chuàng)華
作者單位：貴州大學電子科學與信息技術(shù)學院
更新時間：2023-03-25
下載次數(shù)：次

論文簡介

運用Materials Studio軟件對半導體材料Ca2Si的電子結(jié)構(gòu)進行了計算,結(jié)果表明,Ca2Si材料為直接帶隙類型材料,計算值比實驗測量值小.Ca2Si的價帶由Ca的4s、4p、3d態(tài)和Si的3p態(tài)構(gòu)成;Ca2Si的導帶主要是由鈣的3d、4s、4p態(tài)構(gòu)成,硅的3s、3p對導帶的貢獻相對要小得多.

論文截圖

上一條：基于GaAs的新型稀磁半導體材料(Ga,Mn)As

下一條：便攜式半導體激光治療儀的設計

版權(quán)：如無特殊注明，文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡，侵權(quán)請聯(lián)系cnmhg168#163.com刪除！文件均為網(wǎng)友上傳，僅供研究和學習使用，務必24小時內(nèi)刪除。