HV/CVD系統(tǒng)Si、SiGe低溫?fù)诫s外延

期刊名字：半導(dǎo)體學(xué)報(bào)
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論文作者：劉志農(nóng)，賈宏勇，羅廣禮，陳培毅，林惠旺，錢(qián)佩信
作者單位：清華大學(xué)微電子學(xué)研究所,
更新時(shí)間：2023-04-02
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論文簡(jiǎn)介

研究了硼烷（B2H6）摻雜鍺硅外延和磷烷（PH3）摻雜硅外延的外延速率和摻雜濃度與摻雜氣體流量的關(guān)系．B濃度與B2H6流量基本上成正比例關(guān)系；生長(zhǎng)了B濃度直至1019cm-3的多層階梯結(jié)構(gòu)，各層摻雜濃度均勻，過(guò)渡區(qū)約20nm，在整個(gè)外延層，Ge組分（x=0.20）均勻而穩(wěn)定．PH3摻雜外延速率隨PH3流量增加而逐漸下降；P濃度在PH3流量約為1.7sccm時(shí)達(dá)到了峰值（約6×1018cm-3）．分別按PH3流量遞增和遞減的順序生長(zhǎng)了多層結(jié)構(gòu)用以研究PH3摻雜Si外延的特殊性質(zhì)．

論文截圖

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