稀磁半導(dǎo)體的研究進(jìn)展

期刊名字：物理學(xué)進(jìn)展
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論文作者：趙建華，鄧加軍，鄭厚植
作者單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
更新時(shí)間：2023-03-24
下載次數(shù)：次

論文簡(jiǎn)介

本文主要介紹了III-V族稀磁半導(dǎo)體(Ga,Mn)As的研究進(jìn)展,包括(Ga,Mn)As的生長(zhǎng)制備、基本磁性質(zhì)、磁輸運(yùn)特征、磁光性質(zhì)、磁性起源、相關(guān)的異質(zhì)結(jié)構(gòu)和自旋注入等,同時(shí)還簡(jiǎn)單介紹了其它稀磁半導(dǎo)體如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半導(dǎo)體的研究進(jìn)展,在文章的最后描述了理想的稀磁半導(dǎo)體應(yīng)該具備的特征以及對(duì)未來(lái)的展望.

論文截圖

上一條：高精度半導(dǎo)體光源驅(qū)動(dòng)源

下一條：用于生物標(biāo)記的半導(dǎo)體量子點(diǎn)研究

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