除了直流負(fù)電壓外,還在淺法刻蝕出的GaAs/AlGaAs量子線上的兩個(gè)金屬指形門(mén)上分別疊加兩個(gè)相位相差π的正弦信號(hào),從而對(duì)形成量子點(diǎn)的兩個(gè)勢(shì)壘作不等幅調(diào)制.在無(wú)源漏偏壓的情況下,通過(guò)周期形成的量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了單電子的搬運(yùn).由于新的半導(dǎo)體量子點(diǎn)單電子泵不是依賴(lài)庫(kù)侖阻塞效應(yīng)通過(guò)隧穿進(jìn)行單電子輸運(yùn),因此,該器件就不會(huì)受到固定隧穿時(shí)間引起的低工作頻率限制.在1.7 K溫度下,頻率達(dá)到3 GHz仍然可以觀測(cè)到量子化電流平臺(tái).對(duì)應(yīng)的電流值達(dá)到0.5 nA量級(jí).這種新器件提供了實(shí)現(xiàn)高速度、高精度搬運(yùn)單電子的另一種可能途徑.