半導體器件的瞬時狀態(tài)由包含三個擬線性偏微分方程所組成的方程組的初邊值問題來描述.其中電子位勢方程足橢圓型的,電子和空穴濃度方程是對流擴散型的.對電子位勢方程采用一次元有限體積法米逼近,對電子濃度和空穴濃度方程采用修正的迎風有限體積方法來逼近,并進行詳細的理論分析,關于位勢得到O(h+Δt)階的H1模誤差估計結(jié)果,關于濃度得到O(h2+Δt)階的L2模誤差估計結(jié)果.最后,給出數(shù)值例子.