針對反應(yīng)室的情況,建立了硅粉的運(yùn)動學(xué)模型和粉粒收集判據(jù).應(yīng)用該模型和判據(jù),選擇進(jìn)氣流速為5～20cm3/min(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下),抽氣比例為0.1.由于等離子區(qū)內(nèi)只存在表面反應(yīng),鈍化作用會使純化效應(yīng)消失.在鞘層內(nèi)存在大量高能離子,除表面反應(yīng)外,離子還能對粉粒表面進(jìn)行刻蝕,因此鈍化效應(yīng)將消失.按此新的純化概念,鞘層應(yīng)盡量增厚.基于鞘盡模型考慮,在適中的壓力、電流密度和直流自偏壓下,選定鞘層厚度為1.5cm.刻蝕提純的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,硅的純度可由99.00%.提高到99.97%.