載氣流量對(duì)CIS薄膜性能的影響

期刊名字：金屬功能材料
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論文作者：侯立婷，劉迎春，方玲，胡小萍，朱景森，李艷萍，盧志超，周少雄
作者單位：中國(guó)鋼研科技集團(tuán)公司
更新時(shí)間：2023-02-11
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論文簡(jiǎn)介

采用Cu-In預(yù)制層后硫化法制備CuInS2(CIS)薄膜.研究了硫源處載氣流量對(duì)薄膜形貌、成分及結(jié)構(gòu)等的影響.用掃描電鏡(SEM)、能量色散譜儀(EDS)、X射線衍射儀(XRD)對(duì)薄膜形貌、成分、結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,并用擴(kuò)散生長(zhǎng)模型加以解釋.結(jié)果表明,具有CuIn和CuIn2混合相的Cu-In預(yù)制膜,在不同的載氣流量下,硫化后所制備的薄膜均具有CIS/CuxIny/Cu結(jié)構(gòu).檢測(cè)結(jié)果支持銅、銦離子穿過(guò)先期生成的CIS膜向外擴(kuò)散,在表面處與硫反應(yīng)生成CIS的生長(zhǎng)模型.

論文截圖

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