鉿離子等離子體源離子注入銅基體的數(shù)值模擬

期刊名字：強(qiáng)激光與粒子束
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論文作者：王加梅，趙青，武洪臣
作者單位：電子科技大學(xué)物理電子學(xué)院,中航工業(yè)北京航空制造工程研究所高能束流加工技術(shù)國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
更新時(shí)間：2023-03-20
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論文簡(jiǎn)介

通過(guò)SRIM軟件對(duì)鉿離子等離子體源離子注入銅進(jìn)行了模擬.模擬了鉿離子注入銅的核阻止本領(lǐng)、電子阻止本領(lǐng)、入射深度隨能量的變化,以及在不同注入條件下鉿離子的摩爾濃度分布,并對(duì)模擬結(jié)果進(jìn)行了分析.結(jié)果顯示:能量低于6MeV時(shí)核阻止本領(lǐng)占主導(dǎo)地位,高于6MeV時(shí)電子阻止本領(lǐng)成為主要的能量損失,并且離子注入過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)能量沉積的Bragg峰和質(zhì)量沉積區(qū)域較集中的現(xiàn)象,入射深度隨能量的增加而增加.

論文截圖

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