多晶硅的ECR等離子體刻蝕

期刊名字：武漢化工學(xué)院學(xué)報(bào)
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論文作者：陳永生，汪建華
作者單位：武漢化工學(xué)院等離子體化學(xué)與新材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
更新時(shí)間：2023-03-21
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論文簡(jiǎn)介

報(bào)道了用CF4作工作氣體的ECR刻蝕poly-Si技術(shù),研究了微波功率、氣體流量、氣壓和射頻偏置功率對(duì)刻蝕速率的影響,并對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了討論.實(shí)驗(yàn)中微波等離子體功率范圍在100～500 W,CF4氣體流量在10～50 cm3/min(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下)范圍,氣壓在0.25～2.5 Pa范圍,射頻偏置功率在0～300 W范圍,對(duì)應(yīng)的刻蝕速率為10.4～46.2 nm/min.

論文截圖

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