AlGaN材料的MOCVD生長研究

期刊名字：激光與紅外
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論文作者：趙德剛，楊輝，梁駿吾，李向陽，龔海梅
作者單位：中國科學院半導體研究所,同濟大學電信學院半導體與信息技術(shù)研究所,中國科學院上海技術(shù)物理所
更新時間：2022-12-08
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論文簡介

文章研究了AlGaN材料的MOCVD生長機制.在位監(jiān)控曲線表明,AlGaN材料生長過程是由三維生長逐漸過渡到二維生長,由于Al原子表面遷移率太小,隨著TMAl流量的增加,需要更長的時間才能出現(xiàn)二維生長,材料質(zhì)量也隨著Al組分的增加而下降,AlGaN的表面形貌也變差.隨著TMAl流量的增加,AlGaN材料的生長速率反而下降,這是由于Al原子阻止了Ga原子參與材料生長.實驗還發(fā)現(xiàn),由于TMAl與NH3之間存在強烈的寄生反應(yīng),AlGaN材料中的Al組分遠小于氣相中的Al組分.文中簡單探討了提高AlGaN材料質(zhì)量的生長方法.

論文截圖

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