針對(duì)半導(dǎo)體橋小型化帶來的點(diǎn)火可靠性問題,制備了復(fù)合半導(dǎo)體橋,采用高速存貯示波器對(duì)其在22 μF電容不同充電電壓下的電爆過程進(jìn)行了研究,并與多晶硅半導(dǎo)體橋的電爆性能進(jìn)行了對(duì)比.結(jié)果顯示:在電爆過程爆發(fā)前,復(fù)合半導(dǎo)體橋和多晶硅半導(dǎo)體橋的電爆過程基本一致;爆發(fā)后特別是在高壓時(shí)(50 V),與多晶硅半導(dǎo)體橋相比,復(fù)合半導(dǎo)體橋上電流下降緩慢,爆發(fā)所需時(shí)間稍偏長(zhǎng),作用于等離子體上的能量稍多;爆發(fā)后3 μS內(nèi),復(fù)合半導(dǎo)體橋作用于等離子體上的能量增加較多,因此復(fù)合半導(dǎo)體橋點(diǎn)火可靠性更高.復(fù)合半導(dǎo)體橋上金屬薄膜的存在是造成上述結(jié)果差異的原因.