研究了不同條件下氧等離子體對GaN器件表面的影響。在合適的條件下，氧等離子體可以使AlGaN表面發(fā)生氧化，形成Al2O3薄氧化膜，提高肖特基勢壘，從而降低GaN器件的閾值電壓，提高器件導(dǎo)通電流。該結(jié)果可望用于更高性能AlGaN/GaN HEMT器件制備的應(yīng)用中。