本文采用一種新的數字圖像相關方法測量帶有半導體電熱膜的遠紅外陶瓷熱脹系數.該方法將有限元的位移模式引入,更適合于微細觀領域的高精度測量,可以得到熱脹系數隨溫度變化的曲線.結果表明,陶瓷基體和電熱膜均表現出各向異性的熱膨脹.在基體和膜熱脹系數數值較接近的方向,降溫時膜收縮而基體繼續(xù)膨脹;在基體和膜的熱脹系數變化規(guī)律一致的方向上,數值上膜的熱脹系數要比基體的熱脹系數大得多.若已知陶瓷基體和電熱膜的應力應變本構關系,就可以根據測試結果計算陶瓷基體與電熱膜之間的熱應力及殘余應力.