CdSe和CdSe/ZnS半導(dǎo)體量子點(diǎn)光譜特性的研究

期刊名字：南陽(yáng)師范學(xué)院學(xué)報(bào)
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論文作者：馬紅，馬國(guó)宏，王文軍，高學(xué)喜
作者單位：上海大學(xué),聊城大學(xué)
更新時(shí)間：2023-03-25
下載次數(shù)：次

論文簡(jiǎn)介

利用X射線衍射譜(XRD)、紫外-可見(jiàn)(UV-Vis)吸收光譜、熒光光譜(PL)系統(tǒng)地研究了不同表面、多種尺寸的CdSe半導(dǎo)體量子點(diǎn)(QDs)的光學(xué)性質(zhì).結(jié)果顯示表面修飾完善的樣品的熒光光譜只有一個(gè)窄而強(qiáng)的帶邊發(fā)射;所有樣品的熒光峰相對(duì)于1S-1S吸收峰有較大的紅移,并且移動(dòng)量隨尺寸的減小而增加,利用激子的精細(xì)結(jié)構(gòu)模型很好地解釋了紅移量和尺寸的關(guān)系;核/殼結(jié)構(gòu)的樣品的吸收峰和熒先峰相對(duì)于同尺寸的單量子點(diǎn)也有紅移現(xiàn)象,這是由于CdSe和ZnS的晶格失配在界面上產(chǎn)生壓力造成的.

論文截圖

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