半導(dǎo)體斷路開關(guān)(SOS)特性研究

期刊名字：微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)
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論文作者：屠荊，羅晉生，楊榮，韓志宇，白樹春
作者單位：西安交通大學(xué)微電子研究所,阜新天琪電子公司
更新時(shí)間：2023-03-24
下載次數(shù)：次

論文簡介

本文描述了半導(dǎo)體斷路開關(guān)(SOS)的制作及性能測試.制作方法采用普通二極管類似的擴(kuò)散工藝,但其制作工藝的關(guān)鍵在于深結(jié)的擴(kuò)散.在pn結(jié)足夠深時(shí)才能產(chǎn)生SOS效應(yīng).描述了制作過程并采用脈沖電路測試了所研制的SOS器件的電學(xué)性能.測試結(jié)果表明所研制的樣品性能達(dá)到了與國外水平.

論文截圖

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