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ZnO基半導(dǎo)體的研究進(jìn)展——點(diǎn)缺陷、摻雜及接觸 ZnO基半導(dǎo)體的研究進(jìn)展——點(diǎn)缺陷、摻雜及接觸

ZnO基半導(dǎo)體的研究進(jìn)展——點(diǎn)缺陷、摻雜及接觸

  • 期刊名字:材料導(dǎo)報(bào)
  • 文件大?。?/li>
  • 論文作者:孫宜華,李晨輝,熊惟皓
  • 作者單位:華中科技大學(xué)材料成形與模具技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
  • 更新時(shí)間:2023-03-25
  • 下載次數(shù):
論文簡(jiǎn)介

ZnO以其優(yōu)異的特性正在世界范圍內(nèi)再次掀起新的研究熱潮.簡(jiǎn)要綜述了近年來(lái)在ZnO點(diǎn)缺陷、摻雜、接觸等方面的研究進(jìn)展.目前,ZnO施主缺陷得到進(jìn)一步研究和鑒別,P型轉(zhuǎn)變已經(jīng)初步實(shí)現(xiàn),ZnO與金屬的接觸也得到了研究和改進(jìn),但仍存在許多極富挑戰(zhàn)性的課題,有待于從摻雜機(jī)理、缺陷化學(xué)、材料設(shè)計(jì)及其制備技術(shù)等方面進(jìn)一步地創(chuàng)新與研究.

論文截圖
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