半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)界面處Sb/As交換反應(yīng)研究

期刊名字：稀有金屬材料與工程
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論文作者：邱永鑫，李美成，熊敏，張寶順，劉國軍，趙連城
作者單位：哈爾濱工業(yè)大學(xué),長春理工大學(xué)
更新時間：2023-03-25
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論文簡介

利用分子束外延(MBE)技術(shù),在GaAs襯底上生長了高質(zhì)量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通過高分辨X射線衍射(HRXRD)技術(shù)對Sb/As交換反應(yīng)進(jìn)行研究.實(shí)驗(yàn)表明,隨著襯底溫度的升高,Sb解吸附速度增加,在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量下降.而Sb束流大小和暴露在Sb束流中的時間對GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量影響很小.這說明Sb與GaAs中的As原子的交換反應(yīng)僅發(fā)生在GaAs表層,Sb原子在GaAs中的擴(kuò)散距離很短.

論文截圖

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