分析了半導(dǎo)體表面空間電荷層對(duì)深亞微米、納米尺度下半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)間電場(chǎng)的影響,并同宏觀尺寸下采用的金屬極板公式進(jìn)行了比較.結(jié)果表明:當(dāng)半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)間距離在1 μm以上時(shí),可以忽略半導(dǎo)體表面空間電荷層對(duì)微結(jié)構(gòu)間電場(chǎng)的影響;當(dāng)半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)間距離縮小到亞微米和數(shù)十納米量級(jí)時(shí),空間電荷層對(duì)微結(jié)構(gòu)間電場(chǎng)分布的影響逐漸增大,此時(shí)分析電場(chǎng)一般不能利用金屬極板公式.微結(jié)構(gòu)間電場(chǎng)同金屬極板近似公式間的相對(duì)誤差與半導(dǎo)體材料的介電常數(shù)、摻雜濃度等因素有關(guān).