半導(dǎo)體橋生成等離子體溫度的測(cè)量

期刊名字：含能材料
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論文作者：張文超，王文，周彬，秦志春，張琳，葉家海，田桂蓉
作者單位：南京理工大學(xué)化工學(xué)院
更新時(shí)間：2023-03-20
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論文簡介

應(yīng)用原子發(fā)射光譜雙譜線測(cè)溫法原理,采用高速數(shù)字存貯示波器對(duì)半導(dǎo)體橋生成的等離子體溫度以及橋上電壓、電流變化進(jìn)行了實(shí)時(shí)瞬態(tài)測(cè)量,獲得了等離子體溫度以及半導(dǎo)體橋上消耗的能量隨時(shí)間變化的曲線,在半導(dǎo)體橋兩端施加21 V電壓的條件下,對(duì)6.8、15、47、68、100 μF五種不同容量的鉭電容對(duì)半導(dǎo)體橋的作用時(shí)間、消耗能量以及生成等離子體溫度的影響進(jìn)行了研究,結(jié)果表明: 半導(dǎo)體橋生成等離子體最高溫度與電容呈線性關(guān)系,其最高溫度由6.8 μF時(shí)的2242 K升高到100 μF時(shí)的3324 K.

論文截圖

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