半導(dǎo)體中超快過程的研究

期刊名字：紅外與毫米波學(xué)報(bào)
文件大?。?/li>
論文作者：黃仕華，李汐，凌嚴(yán)，陸昉
作者單位：復(fù)旦大學(xué)
更新時(shí)間：2023-03-24
下載次數(shù)：次

論文簡介

用飛秒脈沖激光技術(shù)研究了半導(dǎo)體中的超快過程.通過用超快光生電壓譜對(duì)激光激發(fā)載流子的動(dòng)量弛豫過程進(jìn)行檢測(cè),得到在半導(dǎo)體硅中載流子的動(dòng)量弛豫時(shí)間約為70飛秒,該過程與載流子與載流子的散射幾率有關(guān);對(duì)于鍺硅量子點(diǎn),由于載流子的散射幾率下降,使動(dòng)量弛豫時(shí)間增加至130飛秒.用超快反射譜法測(cè)量了載流子的能量弛豫過程和擴(kuò)散過程,用高能量激光激發(fā)得到載流子的能量弛豫時(shí)間約為幾個(gè)皮秒,這與載流子與聲子的散射幾率密切相關(guān);而用低能量激光激發(fā)可得到光生載流子的擴(kuò)散時(shí)間約為1百皮秒量級(jí).

論文截圖

上一條：鉛陽極膜的半導(dǎo)體性能

下一條：有機(jī)半導(dǎo)體照明(有機(jī)照明)研究進(jìn)展

版權(quán)：如無特殊注明，文章轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò)，侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系cnmhg168#163.com刪除！文件均為網(wǎng)友上傳，僅供研究和學(xué)習(xí)使用，務(wù)必24小時(shí)內(nèi)刪除。