提高功率密度和性能，同時降低成本，從來都是功率半導體技術的前進方向。本文指出，在可預見的未來，這個趨勢還將繼續(xù)下去，并且新型半導體材料的發(fā)展甚至會加劇這一趨勢。傳統(tǒng)的硅材料與諸如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等新材料的一個共同發(fā)展趨勢是提高電流密度，并且需要逐步實現(xiàn)高達200℃的更高工作溫度。主要受要求高得多的負載和溫度循環(huán)能力的限制，如今的封裝技術尚不能處理高于200℃的溫度。另一個共同發(fā)展趨勢是，各種新老材料的半導體都致力于加快開關速度，以降低器件內(nèi)部損耗，從而提高電流承受能力。本文還表明，朝著這個方向發(fā)展，降低開關損耗的潛力巨大（約7倍），并且闡述了在低電感連接技術方面，封裝和系統(tǒng)設置面臨的挑戰(zhàn)。