熱場對霧化裂解CVD沉積的薄膜厚度均勻性的影響

期刊名字：材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào)
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論文作者：季振國，楊成興，劉坤，葉志鎮(zhèn)
作者單位：浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
更新時(shí)間：2023-03-23
下載次數(shù)：次

論文簡介

本文利用計(jì)算機(jī)程序簡單模擬了圓盤狀加熱器和圓筒狀加熱器的熱場分布,研究了熱場對霧化裂解CVD法生長的半導(dǎo)體薄膜厚度均勻性的影響,并采用霧化裂解CVD技術(shù)制備了高度c軸取向的ZnO薄膜.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明利用圓筒形加熱器及對襯底位置的控制可以在較小的加熱器內(nèi)獲得相對尺寸大、厚度均勻性較好ZnO薄膜.

論文截圖

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