近年來(lái)，半導(dǎo)體納米線因?yàn)槠錅?zhǔn)一維的結(jié)構(gòu)特征，在能源、生物、微電子、微機(jī)械等眾多領(lǐng)域受到廣泛的關(guān)注。特別是以納米線作為功能材料的光電器件，如光電探測(cè)器、太陽(yáng)能電池等已經(jīng)展現(xiàn)出一定的優(yōu)勢(shì)。在光電轉(zhuǎn)換的核心要素中，納米線由于陷光效應(yīng)可以在低占空比條件下實(shí)現(xiàn)高效光吸收，而其中的電子（空穴）遷移率等也逐漸接近甚至高于相應(yīng)體材料的最佳值；相對(duì)而言，載流子壽命尤其是少子壽命已經(jīng)成為限制納米線光電器件性能進(jìn)一步提升的關(guān)鍵參數(shù)。