根據(jù)半導體橋的點火特性和工作特點,基于能量守恒定律,通過分析半導體橋輸入能量的近似分布,建立了低于熔化溫度的橋體升溫模型.通過對所建模型的數(shù)值分析,分別得到了在不同的外加電壓、散熱系數(shù)和比熱容下的橋體溫度升高曲線,以及在不同電壓下的輸入能量分布曲線.曲線的分布規(guī)律表明:在電容一定時,外加電壓越大橋體升溫越快;能量散失越多,達到橋體熔點的時間越長;比熱容越大,橋體溫度變化越緩慢,達到熔點的時間越長.這些曲線分布規(guī)律驗證了模型建立的可行性與合理性.