金屬-鐵電體-GaN結(jié)構(gòu)研究

期刊名字：半導(dǎo)體學(xué)報(bào)
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論文作者：畢朝霞，張榮，李衛(wèi)平，殷江，沈波，周玉剛，陳鵬，陳志忠，顧書(shū)
作者單位：南京大學(xué)物理系
更新時(shí)間：2022-11-12
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論文簡(jiǎn)介

以鐵電體Pb(Zr0.53Ti0.47)O3取代傳統(tǒng)絕緣柵氧化物制備了GaN基金屬-絕緣層-半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu).由于鐵電體具有較強(qiáng)的極化電場(chǎng)和高介電常數(shù),GaN基金屬-鐵電體-半導(dǎo)體(MFS)結(jié)構(gòu)的電容-電壓特性與其他GaN基MIS結(jié)構(gòu)相比較得到了顯著的提高.GaN基MFS結(jié)構(gòu)中GaN激活層達(dá)到反型時(shí)的偏壓小于5V,這和硅基電子器件和集成電路的工作電壓一致,而且結(jié)果表明GaN層的載流子濃度比其背景載流子濃度減小了一個(gè)數(shù)量級(jí).因此,GaN基MFS結(jié)構(gòu)對(duì)于GaN基場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)際應(yīng)用具有重要的意義.

論文截圖

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