用共熔法在玻璃基體中退火生長了一系列不同尺寸的CdSSe半導體納米晶體,并比較和分析了一步法和兩步法.兩步退火法增加納米晶體的數(shù)目,在一定程度上提高了納米晶體尺寸分布.根據(jù)納米晶體的室溫吸收光譜,用有效質(zhì)量近似模型估算了納米晶體的平均尺寸在2.25～2.58 nm之間.