940 nm高功率半導(dǎo)體激光器研究

期刊名字：中國激光
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論文作者：萬春明，薄報(bào)學(xué)，曲軼，姜會林
作者單位：長春理工大學(xué)高功率半導(dǎo)體激光國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
更新時(shí)間：2023-03-25
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論文簡介

報(bào)道了一種采用大光學(xué)腔結(jié)構(gòu)的InGaAs/GaAs/AlGaAs應(yīng)變量子阱高功率半導(dǎo)體激光器.在量子阱能級本征值方程的數(shù)值求解基礎(chǔ)上,優(yōu)化了InGaAs阱層材料的In組份含量;采用大光學(xué)腔結(jié)構(gòu)以有效降低垂直于結(jié)平面方向的光束發(fā)散角及腔面的光功率密度,實(shí)現(xiàn)器件的高功率、低發(fā)散角光.設(shè)計(jì)的激光器外延結(jié)構(gòu)采用分子束外延(MBE)方法生長,成功獲得具有較低激射閾值的940 nm波長激光器外延片.對100 μm條形,1000 μm腔長的制備器件測試表明,器件的最大連續(xù)輸出功率達(dá)到2 W,峰值波長為939.4 nm,遠(yuǎn)場水平發(fā)散角為10°,垂直發(fā)散角為30°.器件的閾值電流為300 mA.

論文截圖

上一條：半導(dǎo)體環(huán)形光延時(shí)線的非線性傳輸特性研究

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