半導(dǎo)體硅熔體電導(dǎo)率的間接測(cè)量

期刊名字：人工晶體學(xué)報(bào)
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論文作者：徐岳生，劉彩池，王海云，張?chǎng)x情
作者單位：河北工業(yè)大學(xué)信息功能材料研究所
更新時(shí)間：2023-03-24
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論文簡(jiǎn)介

本文通過(guò)在磁場(chǎng)下測(cè)定硅熔體的粘度,根據(jù)ηeff=(μBb)2σ關(guān)系式,間接計(jì)算出硅熔體的電導(dǎo)率.其結(jié)果與用其他方法測(cè)試的數(shù)值吻合.用電子導(dǎo)電、離子導(dǎo)電的變化,解釋了硅熔體在1420～1690℃范圍電導(dǎo)率的變化,研究結(jié)果對(duì)指導(dǎo)大直徑硅單晶生長(zhǎng)具有實(shí)際意義.

論文截圖

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