通過分析半導體橋(Semiconductor Bridge,SCB)在相同電容不同電壓下的電壓電流曲線和橋面的燒蝕情況,研究了SCB的放電特性.實驗發(fā)現(xiàn):在相同電容下,隨著充電電壓的升高,SCB從無等離子體到有等離子體產(chǎn)生,且橋面的燒蝕程度增大.在低電壓無等離子體時,電壓和電流幾乎同時斷開;高電壓產(chǎn)生等離子體時,由于等離子體是導體,在電壓斷開后電流持續(xù)一段時間斷開.小電容放電時,其時間常數(shù)較小,較小的能量就可以將藥劑點燃.