新型等離子體源及其應(yīng)用

期刊名字：微細加工技術(shù)
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論文作者：荀本鵬，邱海軍，姜斌
作者單位：電子科技大學(xué),北京京東方光電科技股份有限公司
更新時間：2023-03-20
下載次數(shù)：次

論文簡介

為適應(yīng)半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展,需要尋求一些新的等離子體源.介紹了兩種比較新穎的等離子體源--表面波等離子體(SWP,surface wave plasma)和磁中性環(huán)路放電等離子體(NLD,magnetic neutral loop discharge).前者的設(shè)備沒有磁場,且結(jié)構(gòu)簡單,工作溫度低,易于大面積化;而后者的設(shè)備可以通過改變其中性環(huán)路直徑方便地產(chǎn)生各種形狀的等離子體,可用于高深寬比刻蝕,也可用于大面積刻蝕.與傳統(tǒng)等離子體源相比,它們具有明顯的優(yōu)勢,有望成為下一代等離子體源.

論文截圖

上一條：等離子體天線的發(fā)射特性

下一條：等離子體復(fù)合對助燃影響的計算與分析

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