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半導體使用氣三氟化砷的研制 半導體使用氣三氟化砷的研制

半導體使用氣三氟化砷的研制

  • 期刊名字:科技創(chuàng)新導報
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  • 論文作者:袁寶和
  • 作者單位:核工業(yè)理化工程研究院
  • 更新時間:2023-03-24
  • 下載次數(shù):
論文簡介

以砷單質(zhì)和氟氣為原料,采用氣固法制備三氟化砷,研究了反應溫度和反應物氟氣壓力對反應的影響。結果表明,制備AsF3的最佳條件:反應過程溫度控制在300℃左右,氟氣壓力控制在0.1MPa。此條件下,得到純度99%以上的三氟化砷產(chǎn)品。

論文截圖
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